loader-img
loader-img-2
کتابانه
کتابانه

کتاب تحلیل مدارهای الکترونیکی - مدبرنیا

5 / -
موجود شد خبرم کن
دسته بندی :

کتاب تحلیل مدارهای الکترونیکی تألیف محمدرضا مدبرنیا توسط انتشارات نص به چاپ رسیده است.

مدارها به دو دسته کلی تقسیم می شوند : الکتریکی و الکترونی، در مدارهای الکتریکی محیط حرکت الکترون و به طور کلی جنس تشکیل دهنده المان های مدار به هیچ عنوان اهمیت ندارد، بلکه رابطه ریاضی بین ولتاژ و جریان این المان ها مهم هستند. در حقیقت در تحلیل این مدارها هیچ گاه به نحوه ساخت این قطعات توجه نمی شود، برعکس مدارهای الکتریکی، نوع الکترونیکی علاوه بر رابطه ریاضی ولتاژ جریان قطعه به محیط عبور الکترون توجه کرده و در کل این جنس نحوه ساخت المان است که خیلی برای مهندس اهمیت دارد. در تحلیل مدارهای الکترونیکی چون معادلات دیفرانسیل بسیار سخت و پیچیده ایجاد می شوند غالبا از تقریب برای قسمت های الکترونیکی استفاده می شود. شایان ذکر می باشد که در پایان هر بخش جهت تمرین مطالب گفته شده در همان فصل، پرسش های تستی همراه با پاسخ تشریحی و مسائلی ارائه شده است. کتاب " تحلیل مدارهای الکترونیکی " در هفت بخش نگاشته شده است که عبارتند از :

فصل اول:  قوانین مدارهای الکتریکی در الکترونیک

فصل دوم: دیود و کاربردهای آن

فصل سوم: ترانزیستورهای دو قطبی

فصل چهارم: ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی

فصل پنجم: ترانزیستورهای اثر میدان اکسید فلزی

فصل ششم: مدل سیگنال کوچک نیمه هادی های دیودی و ترانزیستوری

فصل هفتم: تقویت کننده های تک طبقه


فهرست


1 قوانین مدارهای الکتریکی در الکترونیک آشنایی با Pspice جهت های قراردادی ولتاژ و جریان قانون اهم قوانین KCL و KVL تقسیم ولتاژ و تقسیم جریان مدار معادل تونن و نورتن شبکه های دودهنه اثر میلر تبدیل لاپلاس 2 دیود و کاربردهای آن چگونگی کارکرد دیود مقاومت دیود در ناحیه بایاس مستقیم مدار معادل دیود دیود زنر تحلیل مدارهای دیودی مدارهای برش گر چند برابر کننده های ولتاژ تنظیم کننده های ولتاژ اثر فیلتر خازنی بر یکسوکننده های نیم موج و تمام موج مدل Pspice دیود 3 ترانزیستورهای دو قطبی ساختار فیزیکی ترانزیستور دو قطبی مدل انتقالی ترانزیستور npn ساده سازی مدل انتقالی ترانزیستور اثر ارلی و ولتاژ ارلی ترانزیستور به مثابه یک تقویت کننده تاثیر دما بر عملکرد ترانزیستور تحلیل DC مدارهای ترانزیستوری 4 ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی ساختمان فیزیکی ترانزیستور اثر میدان پیوندی ( JFET ) معادله های مشخصه ترانزیستورهای JFET تحلیل DC مدارهای JFET خازن تخلیه گیت _ سورس 5 ترانزیستورهای اثر میدان اکسید فلزی مشخصات خازن اکسید فلزی نیمه هادی(MOS ) N _ MOSFET افزایشی اثر بدنه یا حساسیت زیر لایه MOSFETهای نوع تهی ماسفت مکمل ( CMOS ) مدل Pspice ترانزیستورهای MOSFET نویز فلیکر و شات نویز کانال ماسفت 6 مدل سیگنال کوچک نیمه هادی های دیودی و ترانزیستوری نماد گذاری سیگنال ها و مقادیر خازن های کوپلاژ و بای پس ( کنار گذر ) مدل سیگنال کوچگ ترانزیستورهای دو قطبی مدل سیگنال کوچک فرکانس پایین ترانزیستورهای ماسفت 7 تقویت کننده های تک طبقه تقویت کننده امیتر مشترک تقویت کننده سورس مشترک مقایسه تقویت کننده هاس امیتر مشترک و سورس مشترک تقویت کننده بیس مشترک تقویت کننده گیت مشترک تقویت کننده کلکتور مشترک تقویت کننده درین مشترک تقویت کننده فیدبک کلکتور مقایسه تقویت کننده های فیدبک کلکتور و فیدبک درین مراجع

برشی از متن کتاب


فصل اول:  قوانین مدارهای الکتریکی در الکترونیک برای تحلیل و شبیه سازی مدارهای الکترونیکی، نرم افزارهای مختلفی نظیر MultiSim، ICAP، Micro CAP، Protel، Hspice، Pspice و سایر وجود دارد. از میان این نرم افزارها، Pspice به عنوان اولین نرم افزار شبیه ساز الکترونیکی برای کامپیوترهای شخصی، از طیف وسیع کاربران برخوردار است و کارخانجات سازنده مدارهای مجتمع، بیش از هر نرم افزار دیگری مدل قطعات خود را برای Pspice در اختیار نهاده اند. فصل دوم: دیود و کاربردهای آن دیود پایه ای ترین نیمه هادی الکترونیکی است که از دو نیمه هادی p و n تشکیل می شود. نیمه هادی های نوع n دارای الکترون های آزاد و اتم های دهنده، نوع p دارای حفره های آزاد و اتم های گیرنده هستند و الکترون ها در حکم حامل های اکثریت نیمه هادی نوع n و حفره ها در حکم حامل اکثریت نوع p می باشند. دیود همچون مقاومت، یک عنصر دو سر است و یکی از پایه های دیود، آند ( A ) و پایه دیگر کاتد ( K ) نامگذاری می شود، بر پایه منحنی مشخصه ( مطابق شکل ) مادام که ولتاژ آند کاتد دیود ( پلاریته آند نسبت به پلاریته کاتد مثبت است ) به حد ولتاژ مشخص نرسیده باشد، جریان بسیار کمی از دیود می گذرد که به طور تقریب می توان آن را صفر در نظر گرفت. فصل سوم: ترانزیستورهای دو قطبی ترانزیستور در سال 1946 میلادی توسط باردین و براتین در آزمایشگاه تلفن بل ساخته شد و پس از گذشت چند ماه شاکلی تئوری عملکرد ترانزیستور را تشریح نمود. یک ترانزیستور دو قطبی از سه لایه نیمه هادی نوع n و p تشکیل شده است، این لایه ها به عنوان امیتر ( E )، بیس ( B ) و کلکتور ( C ) خوانده شده و برحسب نوع شان به دو گونه npn و pnp تقسیم می شوند. ترانزیستور npn از دو نیمه هادی نوع n ( امیتر و کلکتور ) و یک نیمه هادی نوع p ( بیس ) تشکیل شده و این وضعیت برای ترانزیستور pnp بالعکس است. فصل چهارم: ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی مبنای کار ترانزیستور اثر میدانی، کنترل جریان عبوری از قطعه بر پایه میدان الکتریکی ایجاد شده از اعمال ولتاژ به پایانه دیگر می باشد، به عبارت دیگر FET همچون یک منبع جریان وابسته به ولتاژ عمل می کند. در ترانزیستورهای اثر میدان عامل ایجاد جریان یک نوع حامل بار الکتریکی است و این حامل می تواند الکترون یا حفره باشد و لذا به این ترانزیستورها، یک قطبی نیز گفته می شود. باید توجه داشت که وجود یک حامل برای ایجاد جریان الکتریکی، مخالف عملکرد ترانزیستورهای دو قطبی است که در آن هر دو حامل الکترون و حفره در ایجاد جریان نقش دارند. فصل پنجم: ترانزیستورهای اثر میدان اکسید فلزی در اولین ترانزیستورهای اثر میدان اکسید فلزی ( MOSFET ) از یک گیت فلزی استفاده می گردید اما بعدها به یک گیت سیلیکونی تغییر ساختار داد. با وجود این تغییر، نام قطعه هم چنان اکسید _ فلزی باقی مانده است، در طی دهه 70 میلادی ابتدا از ماسفت ها با وجود سرعت کلید زنی پایین شان در مدارهای دیجیتال به جای ترانزیستورهای دو قطبی استفاده شد و این امر به خاطر دو ویژگی بسیار جذاب ماسفت ها بود : توان تلفاتی پایین و اندازه کوچک قطعات MOS فصل ششم: مدل سیگنال کوچک نیمه هادی های دیودی و ترانزیستوری در تحلیل و طراحی مدارهای تقویت کننده ترانزیستوری با کمیت های متفاوتی از ولتاژ و جریان سر و کار دارید. ولتاژها و جریان های DC که فاقد هر گونه مقدار ac هستند برای بایاس طبقات ترانزیستور به کار می روند، نماد و اندیس این کمیت ها را با حروف بزرگ لاتین نمایش می دهند. مقادیر لحظه ای ac کمیت ها که فاقد هر گونه مقدار DC هستند، این کمیت ها را با حروف کوچک لاتین نمایش می دهند و برای نمایش سیگنال های ورودی تقویت کننده ها، متغیرهایی که در محاسبات بهره و امپدانس مورد استفاده قرار می گیرند، از این نماد استفاده می شود. فصل هفتم: تقویت کننده های تک طبقه مدارهای ترانزیستوری برای انجام صحیح عمل تقویت کنندگی نیاز دارند در ناحیه خطی ( ناحیه فعال برای BJT و ناحیه اشباع برای ماسفت و JFET ) منحنی مشخصه خود، کار کنند. این عمل توسط منابع تغذیه DC انجام می شود که در قالب مدارهای بایاس در فصل های قبل مورد بررسی قرار گرفت، پس از بایاس DC با اعمال سیگنال های کوچک در ورودی تقویت کننده های آنالوگ، ترانزیستورها حول نقطه کار DC خود به صورت خطی بازی خواهند کرد. برای محاسبه روابط سیگنال کوچک، ابتدا باید مدار تقویت کننده تحلیل DC شود و مقادیر نقطه کار آن به دست آید.

  • نویسنده: محمدرضا مدبرنیا
  • انتشارات: نص


ثبت دیدگاه


دیدگاه کاربران

اولین کسی باشید که دیدگاهی برای "کتاب تحلیل مدارهای الکترونیکی - مدبرنیا" می نویسد

آخرین بازدید های شما

۷ روز ضمانت بازگشت وجه ۷ روز ضمانت بازگشت وجه
ضمانت اصالت کالا ضمانت اصالت کالا
۷ روز هفته ۲۴ ساعته ۷ روز هفته ۲۴ ساعته
امکان پرداخت در محل امکان پرداخت در محل
امکان تحویل در محل امکان تحویل در محل