کتاب تحلیل و طراحی مدارهای الکترونیک جلد 1 | تقی شفیعی

درباره‌ی کتاب تحلیل و طراحی مدارهای الکترونیک جلد 1 تقی شفیعی

کتاب تحلیل و طراحی مدارهای الکترونیک از 6 فصل تشکیل شده که هر فصل این کتاب به سه قسمت چکیده، مسائل نمونه و تمرین تقسیم بندی شده است. در ویرایش دوم کتاب ضمن انجام اصلاحات ضروری  تغییرات مناسب در متن، روابط و شکلهای کتاب، تعداد مسائل حل شده یک و نیم برابر شده و برخی نکات مهم نیز اضافه شده است. در تدوین این اثر سعی بر این بوده تا با جمع آوری مسائل مختلف و متعدد از منابع گوناگون و دسته بندی آنان و ارائه روشهای تحلیلی مناسب، مجموعه نسباتا کاملی در اختیار دانشجویان قرار گیرید.

بخشی از کتاب تحلیل و طراحی مدارهای الکترونیک جلد 1 تقی شفیعی

فصل اول: فیزیک الکترونیک

عامل هدایت الکتریکی در فلزات، الکترون های آزاد هستند که با اعمال میدان الکتریکی به آن ها با سرعت   متناسب با شدت میدان اعمال شده به حرکت در می آیند و باعث ایجاد یک جریان الکتریکی می گردند. ضریب این تناسب قابلیت تحرک الکترون () نام دارد و برای هر فلز مقداری معین است.

فصل دوم: دیود نیمه هادی و مدارهای دیودی

دیود نیمه هادی، به پیوند دو بلور P و N  گفته می شود که دارای خاصیت یکسوکنندگی جریان است. ساختمان و نمایش مداری یک دیود نیمه هادی در این فصل نشان داده می گردد.

فصل سوم: ترانزیستور پیوندی دو قطبی

امیتر یا منتشر کننده، حامل های اکثریت خود را از طریق بیس به طرف کلکتور انتشار می دهد و کلکتور یا جمع کننده، حامل های تزریقی امیتر به بیس را جذب می کند. بنابراین جریان کلکتور توسط جریان بیس یا امیتر کنترل می شود و در نتیجه ترانزیستور پیوندی را می توان یک منبع جریان کنترل شونده توسط جریان در نظر گرفت.

در ایجاد جریان سرهای ترانزیستور، هر دو نوع حامل اقلیت و اکثریت دخالت دارند.

فصل چهارم: طراحی مدارهای بایاس ترانزیستور پیوندی

بسته به این که منبع سیگنال ورودی به کدام سر ترانزیستور اعمال گردد و خروجی از کدام سر گرفته شود، سه نوع ترکیب مدار بایاس به صورت زیر تعریف می شود:

الف) امیتر مشترک: ورودی سیگنال کوچک به سر بیس و خروجی از سر کلکتور گرفته می شود.

ب) کلکتور مشترک: ورودی سیگنال کوچک به سر بیس و خروجی از سر امیتر گرفته می شود.

ج) بیس مشترک: ورودی سیگنال کوچک به سر امیترو خروجی از سر کلکتور گرفته می شود.

متداول ترین روش بایاس  ترانزیستور در حالت امیتر مشترک که به مدار خود بایاس معروف است، می باشد.

فصل پنجم: تقویت کننده های ترانزیستوری در فرکانس های پایین

• به منظور استفاده از خاصیت تقویت کنندگی ترانزیستور، این عنصر همواره در ناحیه ی فعال بایاس می شود.
• سیگنال ورودی تقویت کننده، یک سیگنال کوچک است به طوری که در محدوده ی تغییرات آن می توان ترانزیستور را با یک مدل خطی جایگزین کرد.
• منظور از تجزیه و تحلیل سیگنال کوچک یک تقویت کننده، عبارت است از محاسبه ی مشخصه های آن از قبیل بهره ولتاژ، بهره جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی.

فصل ششم: ترانزیستورهای اثر میدان

• ترانزیستور اثر میدان را می توان یک منبع جریان کنترل شونده توسط ولتاژ (میدان الکتریکی) در نظر گرفت.
• حرکت حامل های بار الکتریکی از طرف سورس (منبع) به طرف درین (چاه) جریان درین را به وجود می آورد که توسط میدان الکتریکی اعمال شده از سر گیت، کنترل می شود.
• در ترانزیستور اثر میدان، جریان الکتریکی فقط ناشی از حامل های اکثریت می باشد.
• بایاس معکوس پیوند GS باعث ایجاد ناحیه تهی در کانال می شود. عرض ناحیه تهی و در نتیجه عرض کانال توسط ولتاژ اعمال شده به پیوند GS قابل کنترل است. افزایش عرض ناحیه تهی و در نتیجه کاهش عرض کنال باعث افزایش مقاومت کانال بین سرهای درین و سورس شده و جریان را کاهش می دهد و بالعکس.

کتاب تحلیل و طراحی مدارهای الکترونیک جلد اول تألیف مهندس تقی شفیعی توسط انتشارات شیخ بهایی به چاپ رسیده است.

فهرست

فصل اول: فیزیک الکترونیک چکیده مسائل نمونه تمرین

فصل دوم:دیود نیمه هادی و مدارهای دیودی چکیده مسائل نمونه تمرین

فصل سوم: ترانزیستور پیوندی دو قطبی چکیده مسائل نمونه تمرین

فصل چهارم: طراحی مدارهای بایاس ترانزیستور پیوندی چکیده مسائل نمونه تمرین

فصل پنجم: تقویت کننده های ترانزیستوری در فرکانس های پایین چکیده مسائل نمونه تمرین

فصل ششم: ترانزیستورهای اثر میدان چکیده مسائل نمونه تمرین

• همراه با پرسش های چهار گزینه ای کنکورهای کارشناسی ارشد
• نویسنده: مهندس تقی شفیعی
• انتشارات: شیخ بهایی