کتاب ارشد الکترونیک - دیباگران تهران

کتاب الکترونیک تألیف مهندس ناصر خسروپور توسط مؤسسه فرهنگی هنری دیباگران تهران به چاپ رسیده است.

کتاب حاضر، در زمینه ی الکترونیک و با استفاده از مطالب مطرح در دروس الکترونیک 1 و 2 نوشته شده است. در پایان هر فصل سوالات آزمون کارشناسی ارشد که به مطالب آن فصل مربوط می باشد، آورده شده است. برای تدوین مطالب هر فصل، از مراجع متعددی استفاده گردیده که لیستی از آن ها را می توانید در فهرست منابع مشاهده بفرمایید؛ این مطالب حتی الامکان تمام مباحث مربوط به فصل را پوشش داده است. البته ذکر این نکته لازم است که این مطالب بیشتر به صورت «خلاصه درس» بوده و برای کسانی نوشته شده است که دارای زمینه ی مناسبی در الکترونیک باشند. در پایان هر فصل، سؤالات مرتبط با مطالب آن قسمت، از کنکور کارشناسی ارشد مهندسی برق، بیان شده است. از آن جا که این سؤالات، اغلب دربرگیرنده ی نکات مهمی راجع به دروس الکترونیک 1 و 2 می باشند، می تواند به عنوان یک کتاب کمک درسی مناسب نیز مطرح باشد. صورت سؤالات عیناً از کنکورهای سراسری اخذ شده است، بنابراین اشتباهات احتمالی سوال ها و اصطلاحات مختلفِ استفاده شده، بدون تغییر آورده شده اند تا داوطلب با این موارد نیز کاملاً آشنا گردد.

در نهایت، ذکر این نکته لازم است که توصیه می شود حتی در صورت زدن گزینه ی صحیح به قسمت پاسخنامه نیز مراجعه کنید؛ در پاسخ بسیاری از تست ها حتی الامکان سعی شده نکاتی که در پاسخ به آن تست و تست های مشابه به کار می آیند، دوباره تکرار شوند.

کتاب "الکترونیک" مشتمل بر یازده فصل می باشد که در زیر پس از بیان عناوین اصلی، به شرح مختصری از چند فصل نخست آن می پردازیم.

1. دیود(Diode) 2. ترانزیستورهای پیوند دو قطبی (bjt) 3. ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) 4. تقویت کننده های چند طبقه 5. تقویت کننده های تفاضلی و منابع جریان 6. پاسخ فرکانسی 7. طبقه ی خروجی و تقویت کننده ی توان 8. تقویت کننده ی عملیاتی (Opamp) 9. رگولاتور ولتاژ 10. فیدبک (Feedback) 11. مجموعه سؤالات تکمیلی

فصل اول: دیود(Diode)

پیوند  : دیود درواقع یک پیوند   شامل نیمه هادی نوع   و نیمه هادی نوع   است.

نیمه هادی نوع  : با افزودن ناخالصی هایی مانند بور و آلومینیوم که کمتر از سیلیکون الکترون دارند به وجود می آید. افزودن این ناخالصی ها باعث ایجاد تعدادی حفره ی آزاد می شود. اما کل قطعه هنوز خنثی باقی می ماند.

نیمه هادی نوع  : با افزودن ناخالصی هایی مانند فسفر که بیشتر از سیلیکون الکترون دارند، به وجود می آید. این ناخالصی ها باعث ایجاد تعدادی الکترون آزاد می شود. اما کل قطعه هنوز خنثی باقی می ماند.

فصل دوم: ترانزیستورهای پیوند دو قطبی (BJT)

در ترانزیستورهای Bipolar با اعمال جریان بین ترانزیستور، جریان کلکتور و امیتر کنترل می شود. ترانزیستورهای Bipolar به دو گروه عمده ی pnp و npn تقسیم می شوند که دارای سه بخش امیتر، بیس و کلکتور می باشند.

فصل سوم: ترانزیستورهای اثر میدانی (FET)

در ترانزیستورهای اثر میدانیف ولتاژ بین پایانه های FET شارش جریان در سومین پایانه را کنترل می کند. مکانیسم کنترل جریان بر اساس میدان الکتریکی است که با اعمال ولتاژ به پایانه کنترل به وجود می آید و بسته به نوع FET ، هدایت جریان فقط به وسیله ی یک نوع حامل انجام می شود. از FET به عنوان تقویت کننده و سوئیچ می توان استفاده نمود.

فصل چهارم: تقویت کننده های چند طبقه

تقویت کننده های ترانزیستوری در عمل معمولاً شامل چند طبقه ی مرتبط با هم می باشند که به دنبال یکدیگر قرار گرفته اند. معمولاً مقاومت ورودی اولین طبقه، زیاد است تا وقتی تقویت کننده از منبع با مقاومت زیاد تغذیه  می شود، سیگنال از بین نرود.

فصل پنجم: تقویت کننده های تفاضلی و منابع جریان

بسیاری از تقویت کننده ها  عملاً از ترانزیستورهای  دیگر، به مثابه بار به جای بار مقاومتی  استفاده می کنند. به این مداراتف اصطلاحاً تقویت کننده تفاضلی با بار فعال، اطلاق می شود. در چنین مدارهایی، ترانزیستور بار  معمولاً به صورت یک منبع جریان ثابت بسته می شود و در نتیجه برای تقویت کننده ترانزیستوری به عنوان یک بار با مقاومت زیاد عمل می کند.

فصل ششم: پاسخ فرکانسی

در این فصل ابتدا پاسخ فرکانسی مدار بالاگذر و پایین گذر نشان داده می شود. سپس به تابع تبدیلی کلی که برای تعیین پاسخ فرکانسی به کار می رود، پرداخته شده و در ادامه ضمن بیان شکل کلی تابع بهره ی تقویت کننده، طرز به دست آوردن فرکانس قطع پایین و پس از آن پاسخ فرکانس پایین تقویت کننده های ترانزیستوری مورد بررسی قرار می گیرند.

فهرست

مقدمه ناشر مقدمه مؤلف فصل اول: دیود(Diode) کار فیزیکی دیود دیود ایده آل و غیر ایده آل کاربردهای دیود بررسی خواص فیزیکی نیمه هادی ها و انواع دیودها پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل دوم: ترانزیستورهای پیوند دو قطبی (BJT) اصول کار ترانزیستورهای پیوند دو قطبی (BJT) روش های بایاس کردن ترانزیستور آرایش های اساسی تقویت کننده یک طبقه  BJT پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل سوم: ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) اصول کار ترانزیستورهای اثر میدانی آرایش های اساسی تقویت کننده یک طبقه  FET پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل چهارم: تقویت کننده های چند طبقه تقویت کننده های دو طبقه متداول تقویت کننده های چند طبقه    AC - Coupled و  DC - Coupled پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل پنجم: تقویت کننده های تفاضلی و منابع جریان تقویت کننده های تفاضلی با BJT منابع جریان تقویت کننده ی تفاضلی با بار فعال تقویت کننده ی تفاضلی با FET پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل ششم: پاسخ فرکانسی تابع تبدیل و پاسخ فرکانسی پاسخ فرکانس پایین تقویت کننده های ترانزیستوری پاسخ فرکانس بالای تقویت کننده های ترانزیستوری پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل هفتم: طبقه ی خروجی و تقویت کننده ی توان طبقه ی خروجی و تقویت کننده ی توان طبقه ی خروجی کلاس  A طبقه ی خروجی کلاس   B طبقه ی خروجی کلاسAB تقویت کننده ی توان با کوپلاژ ترانسفورمری پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل هشتم: تقویت کننده ی عملیاتی (Opamp) اصول کار و مشخصات تقویت کننده ی عملیاتی (Opamp) مدارهای کاربردی Op-amp پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل نهم: رگولاتور ولتاژ اصول کار رگولاتورهای ولتاژ مدار ضریب کننده ی پارامترهای مهم رگولاتور ولتاژ متدهای محدود کردن جریان پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل دهم: فیدبک (Feedback) ساختار کلی فیدبک مدارهای فیدبک ایده آل مدارهای فیدبک واقعی قضیه ی میلر و مدارهای فیدبک تک ترانزیستوری پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی فصل یازدهم: مجموعه سؤالات تکمیلی پرسش های چهار گزینه ای پاسخنامه تشریحی

• خلاصــه درس، پرسشهــای چــهارگزینه ای و پاسخنامــه تشریحــی
• ویژه آزمونهــای کارشناســی به کارشناســی ارشد
• نویسنده: مهندس ناصر خسروپور
• انتشارات: دیباگران تهران